Primul tranzistor 3-D din lume

Compania Intel a anuntat, la inceputul lunii mai a.c., un moment istoric in evolutia tranzistorilor: demararea productiei in masa a tranzistorului care foloseste o structura tridimensionala (3-D), denumit Tri-Gate, anuntat pentru prima data in 2002.
Tranzistorii tridimensionali Tri-Gate reprezinta un avans tehnologic foarte mare, comparativ cu structura anterioara bidimensionala, care a fost folosita atat pentru toate computerele, telefoanele mobile sau electronicele de larg consum, cat si pentru aparatele de control electronic al masinilor, nave spatiale, aparate electrocasnice, dispozitive medicale si sute de alte aparate din ultimul deceniu. „Inginerii si oamenii de stiinta au reinventat tranzistorul, de aceasta data folosind cea de-a treia dimensiune“, a declarat Paul Otellini, presedinte si CEO al Intel. „Cu ajutorul noilor tranzistori vom dezvolta noi produse inovatoare si uimitoare, ducand Legea lui Moore catre noi domenii“, a completat Otellini.
Legea lui Moore (numita dupa cofondatorul Intel, Gordon Moore) a anticipat dinamica dezvoltarii tehnologiei pe baza de siliciu. Legea sustine ca la fiecare doi ani numarul de tranzistori care se poate amplasa pe un circuit integrat se dubleaza, iar performanta creste si costurile scad. Legea lui Moore a devenit modelul de business de baza pentru industria semiconductorilor din ultimii 40 de ani. Oamenii de stiinta au recunoscut importanta structurii 3-D in sustinerea dinamicii Legii lui Moore. In timp ce dimensiunile produselor devin din ce in ce mai mici, legile fizicii impiedica avansul tehnologic.
Tranzistorii Intel 3-D Tri-Gate permit chip-urilor sa functioneze la voltaj scazut, dispunand de o performanta imbunatatita si eficienta energetica, fata de generatiile anterioare. Aceste capabilitati ofera producatorilor de chip-uri flexibilitatea de a alege tranzistori creati pentru consum redus de energie si eficienta crescuta, in functie de aplicatii. Tranzistorul 3-D Tri-Gate pe 22 nm ofera o performanta crescuta cu pana la 37%, comparativ cu versiunea anterioara pe 32 nm. Rata de crestere a performantei se traduce prin faptul ca noile produse vor putea fi integrate in dispozitive de mici dimensiuni. Noii tranzistori consuma mai putin de jumatate din energia utilizata la aceeasi perfomanta de un tranzistor pe 32 nm.